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[实用新型]微电子器件-CN202120260881.6有效
发明人： J·日默内·马蒂内 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及微电子器件。微电子器件包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管，通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层通过本实用新型的实施例，可以在微电子器件的同一半导体衬底中集成两种类型的晶体管，而不会降低任一个的性能。
微电子器件

[实用新型]微电子器件-CN202022870589.4有效
发明人： R·盖伊;A·马扎基 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及微电子器件。一种器件包括位于衬底的相同第一部分的MOS晶体管和双极晶体管。
微电子器件

[发明专利]微电子器件-CN201280039580.4有效
发明人： K·维尔瓦尼;K·戈帕拉克里希南;R·S·谢诺伊;D·S·贝休恩;A·J·科洛克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在两个导电电极之间夹置的晶体半导体类肖特基势垒二极管与存储器元件、字线和位线串联，其中该设置提供大于IV的电压容限以及大于5×10⁶A/cm²的电流密度。该类肖特基势垒二极管可以在与低温BEOL半导体加工兼容的条件下制造，可以在低电压下提供高电流，呈现高的导通-关断比，并且实现了大存储器阵列。
微电子器件

[发明专利]具有利用嵌入微电子衬底中的微电子桥连接的多个微电子器件的微电子结构-CN202211742643.4在审
发明人： E.李;T.戈塞林;Y.富田;S.利夫;A.艾坦;M.萨尔塔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种微电子结构包括：微电子衬底，其具有第一表面和从微电子衬底第一表面延伸到衬底中的腔；附接至微电子衬底第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及设置在微电子衬底腔内且附接至第一微电子器件和第二微电子器件的微电子桥在一个实施例中，该微电子结构可以包括从第一微电子器件和第二微电子器件形成的重建晶圆。在另一实施例中，助焊剂材料可以在第一微电子器件和微电子桥之间以及在第二微电子器件和微电子桥之间延伸。
具有利用嵌入微电子衬底中的连接器件结构

[发明专利]具有利用嵌入微电子衬底中的微电子桥连接的多个微电子器件的微电子结构-CN201580084531.6在审
发明人： E.李;T.戈塞林;Y.富田;S.利夫;A.艾坦;M.萨尔塔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种微电子结构包括：微电子衬底，其具有第一表面和从微电子衬底第一表面延伸到衬底中的腔；附接至微电子衬底第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及设置在微电子衬底腔内且附接至第一微电子器件和第二微电子器件的微电子桥在一个实施例中，该微电子结构可以包括从第一微电子器件和第二微电子器件形成的重建晶圆。在另一实施例中，助焊剂材料可以在第一微电子器件和微电子桥之间以及在第二微电子器件和微电子桥之间延伸。
微电子器件微电子衬底微电子结构第一表面附接桥连接助焊剂延伸晶圆腔内嵌入重建

[发明专利]具有非共面的、包封的微电子器件和无焊内建层的微电子封装-CN201280073065.8有效
发明人： C·胡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种具有包封的基板的微电子封装，包括包封在包封材料内的多个微电子器件，其中，包封结构可以具有邻近多个微电子器件的有源面的有源面，并且其中，所述多个微电子器件中的至少一个微电子器件可以具有大于所述多个微电子器件中另一个微电子器件的高度微电子封装进一步包括邻近包封结构的有源面而形成的无焊内建层结构。微电子封装还可以包括邻近在包封结构的有源面上设置的、并与包封的基板的多个微电子器件中的至少一个微电子器件电接触的具有有源面的微电子器件。
具有非共面微电子器件无焊内建层封装

[发明专利]微电子器件封装用固定装置及微电子器件封装方法-CN202210297632.3在审
发明人：李晓倩;汪洋;孟维歌;王春红 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所华东分所
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件的技术领域，公开了一种微电子器件封装用固定装置及微电子器件封装方法。该微电子器件封装用固定装置包括：底板；两个立柱，相对设置在底板上；以及固定组件，每个立柱上设置一个固定组件，固定组件包括：限位板，与立柱滑动连接，两个限位板之间形成可调节大小的用于固定微电子器件的固定间隙；以及夹持件，设置在限位板上，夹持件用于夹持微电子器件。该微电子器件封装用固定装置可以根据微电子器件的种类不同，或者尺寸不同来调整固定间隙的大小，以实现对各种微电子器件的封装，从而提高对微电子器件的适应性，有效降低封装运输成本。
微电子器件封装固定装置方法

[发明专利]具有穿桥导电过孔信号连接的嵌入式多器件桥-CN201480074129.5有效
发明人： N·A·德什潘德;O·G·卡尔哈德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种微电子结构，包括：具有第一表面以及腔的基板，该腔从基板第一表面延伸到基板中；附接到基板第一表面的第一微电子器件和第二微电子器件；以及桥，该桥被设置在基板腔内并且附接到第一微电子器件和第二微电子器件。桥包括从桥的第一表面延伸到相对的第二表面的多个导电过孔，其中，导电过孔被电耦合以将电信号从基板传送到第一微电子器件和第二微电子器件。桥还建立了第一微电子器件与第二微电子器件之间的至少一个电信号连接。
具有导电信号连接嵌入式器件

[发明专利]封装的微电子器件-CN01809531.3有效
发明人： G·L·格拉夫;P·M·马丁;M·E·格罗斯;M·K·施;M·G·哈尔;E·S·马斯特 -专利权人：巴特勒记忆研究所
申请日： 2001-03-01 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种封装的微电子器件。该器件包括半导体基片、与半导体基片相邻的微电子器件以及与微电子器件相邻的至少一第一阻挡叠层件。该阻挡叠层件封装微电子器件，其包括至少一第一阻挡层和至少一聚合物层。所述封装的微电子器件可有选择地包括位于半导体基片与微电子器件之间的至少一第二阻挡层。所述第二阻挡层包括至少一第二阻挡层与至少一第二聚合物层。还公开了用于制造封装的微电子器件的方法。
封装微电子器件

[实用新型]散热结构、控制装置及安防巡逻机器人-CN202120032164.8有效
发明人：邓美明 -专利权人：广州视源电子科技股份有限公司;广州视睿电子科技有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B25J19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种散热结构、控制装置及安防巡逻机器人，包括：外壳；电路板，电路板设置于外壳内；微电子器件，微电子器件电性连接于电路板的外周部位上，且微电子器件与外壳的内侧壁贴合；以及固定支架，固定支架设置于外壳上并将微电子器件固定微电子器件不会占用电路板的中部大部分空间，可以减小微电子器件的占用空间大小，使电路板能够匀出更多的空间安装其他器件，提升电路板的集成化能力；由于微电子器件是与外壳的内侧壁直接贴合的，微电子器件工作产生的热量能够快速传导至固定支架和外壳并最终迅速排散掉，避免了因散热效能不足，导致微电子器件长期工作于高温环境中，而影响其工作可靠性的问题发生。
散热结构控制装置巡逻机器人

[发明专利]微电子器件封装及其形成方法-CN201280032156.7有效
发明人： W·H·郑;J·S·居泽尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开内容涉及制造微电子器件封装的领域，并且更具体地，涉及具有内建无凹凸层（BBUL）设计的微电子器件封装，其中，将至少一个次级器件设置在微电子器件封装的微电子器件的厚度（即，z方向或z高度）内。
微电子器件封装及其形成方法

[发明专利]具有设置在封装体内的无源微电子器件的微电子封装件-CN201480075442.0有效
发明人： T·迈尔;G·奥夫纳;A·沃尔特;G·塞德曼;S·阿尔贝斯;C·盖斯勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种微电子封装件，包括设置在封装体内的无源微电子器件，其中，封装体是微电子封装件的部分，封装体为微电子封装件提供支撑和/或刚性。在倒装芯片类型的微电子封装件中，封装体可以包括微电子基板，有源微电子器件电附接至微电子基板。在嵌入式器件类型的微电子封装件中，封装体可以包括其中嵌入有源微电子器件的材料。
具有设置封装体内无源微电子器件

[发明专利]包括混合金凸点的微电子器件芯片及其封装、应用和制造-CN200510103919.4无效
发明人：朴炯建;张宇镇;金荣浩;文泰成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明涉及包括混合金凸点的微电子器件芯片及其封装、应用和制造。本发明提供一种包括混合Au凸点的微电子器件芯片，其中在电芯片筛选(EDS)测试中在探针尖处不产生异物。该微电子器件芯片包括芯片焊盘，其连接到形成在衬底上的微电子器件，其上的微电子器件与芯片外部电接触。另外，微电子器件芯片包括形成在芯片焊盘上、由包括两层或更多层的复合层构成的凸点。
包括混合金凸点微电子器件芯片及其封装应用制造

[发明专利]微电子冷却组件及其微电子冷却系统-CN202011427946.8在审
发明人：钟伟 -专利权人：岳阳市海圣祥科技有限责任公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种微电子冷却组件，包括：微电子器件、散热器和热界面，所述微电子器件与所述散热器热耦合，所述热界面与所述散热器之间设有散热器涂层，位于所述微电子器件的底端和基板的顶面设有底填料，在所述底填料的两侧位于散热器和基板之间设有密封剂，所述微电子器件与所述热界面之间设有器件涂层。
微电子冷却组件及其冷却系统

[发明专利]一种基于ANSYS计算微电子器件增加水分含量的方法-CN201710194041.2在审
发明人：马孝松;刘志学;丁秋林 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件湿气含量计算方法，具体是一种基于ANSYS计算微电子器件增加水分含量的方法，采用ANSYS软件构建微电子器件的实体模型并将微电子器件的实体模型进行有限元网络划分为n个单元，根据热传导公式q=c*m*△t以及有限元分析中用于湿气扩散分析的热‑湿类比关系计算每个单元吸收水分的重量，然后将每个单元吸收水分的重量相加即得电子器件增加的水分含量；本发明操作简单，为分析微电子器件的潮湿敏感度等级缩短了时间
一种基于 ansys 计算微电子器件增加水分含量方法

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